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英国研发新一代革命性内存:10ns延迟、功耗仅有1%

发布时间:20-03-24

2020年美光三星等公司会推出新一代ι的DDR5内存,最高速率可达6400Mbps,将逐步取代DDR4内存。现在的DRAM内存技术还在升级,▣▤▥但是技≧术瓶颈也日趋明显,研究人↙员正在寻找新的内存替代技术,英≮国就╩找到了υ新б方向——全新内存延迟可低至10ns,↕功耗≠仅有现在1%。

多年来人们一直在寻求完美的&ld↓quo;内存”芯片,它既需要低延迟、高带宽,也要功耗低(不需要Ψ频繁刷新),同时还得容量大,成本低,更¤重要的是具备断电Ⅱ不损失数据的特性,可以说是NAND闪存及DRAM内存的完美体@。

这么多要求,做起来可真不容Ξ易,Intel的傲∮腾内存是基于PCM相变内存技术的,在可≒靠性、延迟等问题上已经大幅领灬先现在的闪存,更接近DRAM内存芯片了,不过超❤越内存还达◘不到ↆ。▓

日前外→媒报道称,英国的研究人员找到了一种新型的&βldq▎▏uo;内存”,它使用的是¤III-V族材料,主要是InAs砷化铟和AlSb锑化铝,用这些材料制成的NVDRAM非易失性内存具备优秀的特性,在同样的性能下开关能量低了100倍◢▄,也就是说功─━▶耗只有现有DRAM内存的1%,同时延迟可低至10ns。

总♀之,这种新型材料┍制成的内存芯片具备三大特性—&mdas◀h;超∈低功耗、写入不破坏数据、非易失性,其性能相比现а在的DRAM内存倒是没多大提升,10ns级别的延迟跟DD⊙R4内存差不多,但是ↁ上面三条特性,尤其是非易失性就足够Γ让Φ“内▂▃▅▆█存&rdquo┈┉;革命了。

不过也没法高兴太早,英国研发人Ⅰ员现在只是找到ǐ了新一代III-V材料内↑╦╧存的理论方向,真正大规模制造这种内存还卍是没ю影的事,▨就像是像传了很久的MRAM、PCM、RRAM芯片一样。

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